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N°165
septembre-octobre 1991
Les semiconducteurs
Les semiconducteurs, Montpellier, 17-18 mai 1990
p 321
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Propriétés électroniques des semiconducteurs
Par
Lannoo M.
p 322
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Les techniques d'élaboration des matériaux semiconducteurs pour composants électroniques
Par
Bougnot G.
p 331
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Liaison chimique dans quelques semiconducteurs chalcogénures non conventionnels
Par
Olivier-Fourcade Josette
p 338
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Structure de bandes et déplacement isomérique Mössbauer
Par
Lefebvre I.
p 343
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Bistability of Sn Donor in Al
x
Ga
1-x
As and GaAs under pressure evidences by Mössbauer spectroscopy
Par
Gibart P.
p 349
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The formation of surface and buried Co-silicides
Par
Langouche G.
p 360
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Étude sur les centres d'impureté de fer dans les semiconducteurs II-VI ZnTe et ZnS par spectrométrie Mössbauer d'absorption et d'émission
Par
Garcin C.
p 368
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Enseignement
Informations et documents didactiques pour les enseignements supérieurs de chimie en langue française: une publication regroupée d'informations et d'abrégés
p 375
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Informations générales
Informations générales
p 378
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Livres
Livres
p 383
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Fiche catalyse
Fiche catalyse n° 30: Polymérisation du propylène
p 387
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Fiche catalyse n° 30: Polymérisation du propylène
Par
Spitz Roger
p 387
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